檢索結果：共27筆資料 檢索策略： "陳瑞山".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="趙良君"
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本實驗主要為使用過渡金屬硫化物之二硒化鉬 (MoSe2)應用於生物電化學的檢測當中，以 p-type 矽基板為基底，為了增加 MoSe2 比表面積與感測靈敏度，利用熱化學氣相沉積法將 MoSe2 披…
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二維材料，像是石墨烯和過渡金屬硫屬化合物已成為現今電子和光電應用中的重要趨勢。石墨烯是目前宇宙中已知最薄和高機械強度的物質。它具有高電子遷移率，零有效質量，高透光率和高電導率等許多優良的特性。石墨烯…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源同時通入氬氣以及氮氣，以氧化鋅為靶材，成功的製備出摻氮氧氧化鋅薄膜。陽極層離子源具高電流之特性，可以提高濺擊產率增加薄膜沉積速度，且氮…
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過渡金屬三硫屬化物由於其結構的異向性在電性與光電應用中有很好的表現，這些表現使過渡金屬三硫化物 (TMTCs) 在該領域的其他二維材料中脫穎而出。TiS3是過渡金屬三硫屬化物的其中一員，是n型半導體…
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以熱氧化金屬鋅膜法製備氧化鋅奈米線紫外光檢測器，鋅薄膜之溝槽藉由聚焦離子束(focus ion beam, FIB)系統切割，隨後藉由熱氧化法於溝槽間成長氧化鋅奈米線。氧化鋅奈米線的直徑約為70 n…
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本論文探討以化學氣相傳導法成長之二硫化鉬(MoS2)及硒化銦(InSe)層狀半導體之高頻時間解析光電導特性。實驗發現二硫化鉬及硒化銦皆存在包含快速及慢速的兩段式光電流響應。為了取得那段快速光電流響應…
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本論文主要探討利用化學氣相傳導法(chemical vapor transport)成長之三硒化二銦 (In2Se3) 層狀半導體奈米結構之光電導及電傳輸特性。利用機械剝離法將三硒化二銦單晶分離成二…
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石墨烯具有高電子遷移率, 高導電性及高穿透性等優越的特性. 石墨烯會吸附大氣中的氧原子與水氣表現出 p-type 的特性. 透過氮電漿摻雜以及電化學摻雜可以對石墨烯進行 n-type 的摻雜. 藉由…
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本論文使用化學氣相傳導法合成層狀過渡金屬硫化物ReS2-xSex (x = 0, 1, 2)，並將其製作成光感測元件，透過化學氣相傳導法能夠合成出不同比例之 ReS2-xSex，使用拉曼光譜儀分析其…